1963
Початок будівництва заводу «Перетворювач»
1967
Випущені перші напівпровідникові прилади ВК-2-200, ВКДУ-150
1968
Освоюється виробництво діодних приладів з лавинними характеристиками на струми 200А
1969
Розпочато серійне виробництво малогабаритних сімісторов з Двуполярность управлінням і підвищеними динамічними характеристиками
1971
Розпочато вдосконалення конструкції і технології виробництва діодів, тиристорів і сімісторов малоамперной серій - на струми від 10 до 80 А.
1973
Розроблено серію тиристорів Т10 і Т11 на струми 10-80 А і напругу до 2,2кВ. Впроваджені у виробництво сімістори на струми 10-80А і напругу перемикання 1500В
1975
Розроблено серію оптрони тиристорів на струми від 10 до 320 А.
1975
Освоєно виробництвом тиристори серії Т10, Т11 на струми 10-80 А з напругою перемикання до 1200 і 2000В;
1977
Створена серія діодів типу ВЛ10 і В10 з лавинними і не лавинними характеристиками на струми від 10 до 80 А.
1979
Освоєно виробництво серії штирьових тиристорів на струми 10-12,5А і напругу 100-2000В
1982
Освоєно виробництво серії штирьових оптотірісторов на струми 25-80А і напругу 200-1200В
1983
Освоєно виробництво серії штирьових симетричних тиристорів на струми 10-80А і напругу 100-1200В
1984
Освоєно виробництво серії симетричних тиристорів в герметичному пластиковому корпусі на струми 10-16А і напругу 100-1000В
1986
Освоєно виробництво серії тиристорів в герметичному пластиковому корпусі на струми 10-12,5А і напругу 100-1000В
1988
Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 2 модифікації на струми 25-80А і напругу 400-1200В
1988
Освоєно виробництво замикаються тиристорів і проводять в зворотному напрямку на струми 40-320А і напругу 400-1400В
1989
Освоєно виробництво серії штирьових оптронні симетричних тиристорів на струми 25-125А і напругу 200-1200В
1989
Освоєно виробництво Фототиристори на струми 25А і напругу 600-1000В
1991
Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 4 модифікації на струми 25-100А і напругу 200-1600В
1991
Асімметрічнийм швидкодіючий тиристор на струми 16А і напругу 600-1400В
1992
Освоєно виробництво серії штирьових частотних діодів на струми 25-100А і напругу 200-2400В
1994
Освоєно виробництво частотних діодів в герметичному пластиковому корпусі на струми 10-16А і напругу 200-1200В
1997
Освоєно виробництво серії тиристорів в пігулок корпусах на струми 200-2500А і напругу 200-1800В
1997
Освоєно виробництво серії штирьових оптотірісторов на струми 10-100А і напругу 100-1800В
1997
Освоєно виробництво серії оптронні симетричних тиристорів в пластиковому корпусі на струми 10-80А і напругу 100-1200В
1998
Освоєно виробництво серії оптронні тиристорів в пластиковому корпусі на струми 10-80А і напругу 100-1200В
1998
Освоєно виробництво діодів під Запресовка на струми 20-32А і напругу 100-400В
1998
цех напівпровідникових приладів виділився в окреме підприємство «Елемент-Перетворювач»
2000
Розроблено шунтирующий діодний блок для усунення самоіндукції в системах електрообладнання зернозбиральних комбайнів
2001
Освоєно виробництво серії модулів з мерії схемою на струми 10-32А і напругу 100-1200В
2001
Освоєно виробництво серії діодів в пігулок корпусах на струми 1600-5000А і напругу 1200-4400В
2001
Розроблено сигналізатор засміченості повітряного фільтра двигуна внутрішнього згоряння на струми
2001
Розроблено пульт реверсу похилої камери для зернозбиральних комбайнів на струми
2002
Освоєно виробництво серії частотних діодів в пластиковому корпусі на струми 5-80А і напругу 200-1200В
2002
Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусах 6, 6.1, 8 модифікацій на струми 100-250А і напругу 200-1800В
2002
Освоєно виробництво серії діодів в пластиковому корпусі на струми 10-100А і напругу 400-1600В
2002
Освоєно виробництво серії тиристорів в пластиковому корпусі на струми 6,3-125А і напругу 200-1200В
2002
Освоєно виробництво серії тиристорів в пігулок корпусах на струми 200-4000А і напругу 200-4400В
2002
Освоєно виробництво серії тиристорів в пігулок корпусах на струми 6,3-100А і напругу 200-1600В
2003
Освоєно виробництво потенційних і безпотенціальних симісторних модулів в корпусі 4 модифікації на струми 50-160А і напругу 200-1200В
2003
Освоєно виробництво модулів з встречнопараллельно схемою на струми 80-125А і напругу 400-1200В
2003
Освоєно виробництво симісторних модулів в корпусах 4, 7, 8 модифікацій на струми 10-160А і напругу 200-1200В
2003
Освоєно виробництво гібридних симісторних модулів в корпусах 4, 7, 8, 11, 15 модифікацій на струми 10-250А і напругу 400-1200В
2004
Розроблено серію охолоджувачів для напівпровідникових приладів оразлічной конфігурації
2004
Освоєно виробництво серій діодів і діодів лавинних в пігулок корпусах на струми 320-4000А і напругу 400-4400В
2004
Освоєно виробництво серії штирьових бистровосстанавлівающіхся діодів на струми 5-100А і напругу 200-2400В
2005
Освоєно виробництво серії штирьових симетричних тиристорів на струми 100-1000А і напругу 200-1800В
2006
Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 5 модифікації на струми 25-80А і напругу 200-1600В
2006
Освоєно виробництво серій діодних і тиристорних модулів в корпусах 9, 10 модифікацій на струми 200-320А і напругу 400-2800В
2006
Освоєно виробництво серії штирьових діодів на струми 80-500А і напругу 400-2800В
2006
Освоєно виробництво серії штирьових тиристорів на струми 125-320А і напругу 600-2000В
2007
Освоєно виробництво серій діодних і тиристорних модулів в корпусах 12, 13, 14 модифікацій на струми 500-1250А і напругу 400-3200В
2007
Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 7 модифікації на струми 10-25А і напругу 200-1200В
2007
Освоєно виробництво серії оптронні симетричних тиристорів в пластиковому корпусі на струми 5-80А і напругу 100-1200В
2007
Освоєно виробництво серії швидкодіючих тиристорів в пігулок корпусах на струми 125-1000А і напругу 400-1600В
2012
Освоєно виробництво серії бистровосстанавлівающіхся діодів в пігулок корпусах на струми 250-400А і напругу 400-3600В