1963

Начало строительства завода «Преобразователь»

1967

Выпущены первые полупроводниковые приборы ВК-2-200, ВКДУ-150

1968

Осваивается производство диодных приборов с лавинными характеристиками на токи 200А

1969

Начато серийное производство малогабаритных симисторов с двуполярным управлением и повышенными динамическими характеристиками

1971

Начато совершенствование конструкции и технологии производства диодов, тиристоров и симисторов малоамперных серий – на токи от 10 до 80 А.

1973

Разработана серия тиристоров Т10 и Т11 на токи 10-80 А и напряжение до 2,2кВ. Внедрены в производство симисторы на токи 10-80А и напряжение переключения 1500В

1975

Разработана серия оптронных тиристоров на токи от 10 до 320 А.

1975

Освоены производством тиристоры серии Т10, Т11 на токи 10-80 А с напряжением переключения до 1200 и 2000В;

1977

Создана серия диодов типа ВЛ10 и В10 с лавинными и не лавинными характеристиками на токи от 10 до 80 А.

1979

Освоено производство серии штыревых тиристоров на токи 10-12,5А и напряжение 100-2000В

1982

Освоено производство серии штыревых оптотиристоров на токи 25-80А и напряжение 200-1200В

1983

Освоено производство серии штыревых симметричных тиристоров на токи 10-80А и напряжение 100-1200В

1984

Освоено производство серии симметричных тиристоров в герметичном пластиковом корпусе на токи 10-16А и напряжение 100-1000В

1986

Освоено производство серии тиристоров в герметичном пластиковом корпусе на токи 10-12,5А и напряжение 100-1000В

1988

Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 2 модификации на токи 25-80А и напряжение 400-1200В

1988

Освоено производство запираемых тиристоров и проводящих в обратном направлении на токи 40-320А и напряжение 400-1400В

1989

Освоено производство серии штыревых оптронных симметричных тиристоров на токи 25-125А и напряжение 200-1200В

1989

Освоено производство фототиристоров на токи 25А и напряжение 600-1000В

1991

Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 4 модификации на токи 25-100А и напряжение 200-1600В

1991

Асимметричныйм быстродействующий тиристор на токи 16А и напряжение 600-1400В

1992

Освоено производство серии штыревых частотных диодов на токи 25-100А и напряжение 200-2400В

1994

Освоено производство частотных диодов в герметичном пластиковом корпусе на токи 10-16А и напряжение 200-1200В

1997

Освоено производство серии тиристоров в таблеточных корпусах на токи 200-2500А и напряжение 200-1800В

1997

Освоено производство серии штыревых оптотиристоров на токи 10-100А и напряжение 100-1800В

1997

Освоено производство серии оптронных симметричных тиристоров в пластиковом корпусе на токи 10-80А и напряжение 100-1200В

1998

Освоено производство серии оптронных тиристоров в пластиковом корпусе на токи 10-80А и напряжение 100-1200В

1998

Освоено производство диодов под запресовку на токи 20-32А и напряжение 100-400В

1998

цех полупроводниковых приборов выделился в отдельное предприятие «Элемент-Преобразователь»

2000

Разработан шунтирующий диодный блок для устранения самоиндукции в системах электрооборудования зерноуборочных комбайнов

2001

Освоено производство серии модулей с мостовой схемой на токи 10-32А и напряжение 100-1200В

2001

Освоено производство серии диодов в таблеточных корпусах на токи 1600-5000А и напряжение 1200-4400В

2001

Разработан сигнализатор засоренности воздушного фильтра двигателя внутреннего сгорания на токи

2001

Разработан пульт реверса наклонной камеры для зерноуборочных комбайнов на токи

2002

Освоено производство серии частотных диодов в пластиковом корпусе на токи 5-80А и напряжение 200-1200В

2002

Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусах 6, 6.1, 8 модификаций на токи 100-250А и напряжение 200-1800В

2002

Освоено производство серии диодов в пластиковом корпусе на токи 10-100А и напряжение 400-1600В

2002

Освоено производство серии тиристоров в пластиковом корпусе на токи 6,3-125А и напряжение 200-1200В

2002

Освоено производство серии тиристоров в таблеточных корпусах на токи 200-4000А и напряжение 200-4400В

2002

Освоено производство серии тиристоров в таблеточных корпусах на токи 6,3-100А и напряжение 200-1600В

2003

Освоено производство потенциальных и безпотенциальных симисторных модулей в корпусе 4 модификации на токи 50-160А и напряжение 200-1200В

2003

Освоено производство модулей со встречнопараллельной схемой на токи 80-125А и напряжение 400-1200В

2003

Освоено производство симисторных модулей в корпусах 4, 7, 8 модификаций на токи 10-160А и напряжение 200-1200В

2003

Освоено производство гибридных симисторных модулей в корпусах 4, 7, 8, 11, 15 модификаций на токи 10-250А и напряжение 400-1200В

2004

Разработана серия охладителей для полупроводниковых приборов оразличной конфигурации

2004

Освоено производство серий диодов и диодов лавинных в таблеточных корпусах на токи 320-4000А и напряжение 400-4400В

2004

Освоено производство серии штыревых быстровосстанавливающихся диодов на токи 5-100А и напряжение 200-2400В

2005

Освоено производство серии штыревых симметричных тиристоров на токи 100-1000А и напряжение 200-1800В

2006

Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 5 модификации на токи 25-80А и напряжение 200-1600В

2006

Освоено производство серий диодных и тиристорных модулей в корпусах 9, 10 модификаций на токи 200-320А и напряжение 400-2800В

2006

Освоено производство серии штыревых диодов на токи 80-500А и напряжение 400-2800В

2006

Освоено производство серии штыревых тиристоров на токи 125-320А и напряжение 600-2000В

2007

Освоено производство серий диодных и тиристорных модулей в корпусах 12, 13, 14 модификаций на токи 500-1250А и напряжение 400-3200В

2007

Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 7 модификации на токи 10-25А и напряжение 200-1200В

2007

Освоено производство серии оптронных симметричных тиристоров в пластиковом корпусе на токи 5-80А и напряжение 100-1200В

2007

Освоено производство серии быстродействующих тиристоров в таблеточных корпусах на токи 125-1000А и напряжение 400-1600В

2012

Освоено производство серии быстровосстанавливающихся диодов в таблеточных корпусах на токи 250-400А и напряжение 400-3600В