ІСТОРІЯ ПІДПРИЄМСТВА “ЕЛЕМЕНТ-ПЕРЕТВОРЮВАЧ”

1963

Початок будівництва заводу «Перетворювач»

1967

Випущені перші напівпровідникові прилади ВК-2-200, ВКДУ-150

1968

Освоюється виробництво діодних приладів з лавинними характеристиками на струми 200А

1969

Розпочато серійне виробництво малогабаритних сімісторов з Двуполярность управлінням і підвищеними динамічними характеристиками

1971

Розпочато вдосконалення конструкції і технології виробництва діодів, тиристорів і сімісторов малоамперной серій - на струми від 10 до 80 А.

1973

Розроблено серію тиристорів Т10 і Т11 на струми 10-80 А і напругу до 2,2кВ. Впроваджені у виробництво сімістори на струми 10-80А і напругу перемикання 1500В

1975

• Розроблено серію оптрони тиристорів на струми від 10 до 320 А.
• Освоєно виробництво тиристорів серії Т10, Т11 на струми 10-80 А з напругою перемикання до 1200 і 2000В;

1977

Створена серія діодів типу ВЛ10 і В10 з лавинними і не лавинними характеристиками на струми від 10 до 80 А.

1979

Освоєно виробництво серії штирьових тиристорів на струми 10-12,5А і напругу 100-2000В

1982

Освоєно виробництво серії штирьових оптотірісторов на струми 25-80А і напругу 200-1200В

1983

Освоєно виробництво серії штирьових симетричних тиристорів на струми 10-80А і напругу 100-1200В

1984

Освоєно виробництво серії симетричних тиристорів в герметичному пластиковому корпусі на струми 10-16А і напругу 100-1000В

1986

Освоєно виробництво серії тиристорів в герметичному пластиковому корпусі на струми 10-12,5А і напругу 100-1000В

1988

• Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 2 модифікації на струми 25-80А і напругу 400-1200В.
• Освоєно виробництво замикаючих тиристорів зворотного напрямку на струми 40-320А і напругу 400-1400В.

1989

• Освоєно виробництво серії штирьових оптронні симетричних тиристорів на струми 25-125А і напругу 200-1200В.
• Освоєно виробництво Фототиристорів на струми 25А і напругу 600-1000В.

1991

• Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 4 модифікації на струми 25-100А і напругу 200-1600В.
• Асімметрічний швидкодіючий тиристор на струми 16А і напругу 600-1400В.

1992

Освоєно виробництво серії штирьових частотних діодів на струми 25-100А і напругу 200-2400В

1994

Освоєно виробництво частотних діодів в герметичному пластиковому корпусі на струми 10-16А і напругу 200-1200В

1997

• Освоєно виробництво серії тиристорів в дискових корпусах на струми 200-2500А і напругу 200-1800В.
• Освоєно виробництво серії штирьових оптотірісторов на струми 10-100А і напругу 100-1800В.
• Освоєно виробництво серії оптронні симетричних тиристорів в пластиковому корпусі на струми 10-80А і напругу 100-1200В.

1998

• Освоєно виробництво серії оптронні тиристорів в пластиковому корпусі на струми 10-80А і напругу 100-1200В.
• Освоєно виробництво діодів під запресовку на струми 20-32А і напругу 100-400В.
• Цех напівпровідникових приладів виділився в окреме підприємство «Елемент-Перетворювач».

2000

Розроблено шунтирующий діодний блок для усунення самоіндукції в системах електрообладнання зернозбиральних комбайнів

2001

• Освоєно виробництво серії модулів з мерії схемою на струми 10-32А і напругу 100-1200В.
• Освоєно виробництво серії діодів в дискових корпусах на струми 1600-5000А і напругу 1200-4400В.
• Розроблено пульт реверсу похилої камери для зернозбиральних комбайнів на струми.
• Розроблено сигналізатор засміченості повітряного фільтра двигуна внутрішнього згоряння на струми.

2002

• Освоєно виробництво серії частотних діодів в пластиковому корпусі на струми 5-80А і напругу 200-1200В.
• Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусах 6, 6.1, 8 модифікацій на струми 100-250А і напругу 200-1800В.
• Освоєно виробництво серії діодів в пластиковому корпусі на струми 10-100А і напругу 400-1600В.
• Освоєно виробництво серії тиристорів в пластиковому корпусі на струми 6,3-125А і напругу 200-1200В.
• Освоєно виробництво серії тиристорів в дискових корпусах на струми 200-4000А і напругу 200-4400В.
• Освоєно виробництво серії тиристорів в дискових корпусах на струми 6,3-100А і напругу 200-1600В.

2003

• Освоєно виробництво потенційних і безпотенціальних симісторних модулів в корпусі 4 модифікації на струми 50-160А і напругу 200-1200В.
• Освоєно виробництво модулів з встречнопараллельно схемою на струми 80-125А і напругу 400-1200В.
• Освоєно виробництво симісторних модулів в корпусах 4, 7, 8 модифікацій на струми 10-160А і напругу 200-1200В.
• Освоєно виробництво гібридних симісторних модулів в корпусах 4, 7, 8, 11, 15 модифікацій на струми 10-250А і напругу 400-1200В.

2004

• Розроблено серію охолоджувачів для напівпровідникових приладів оразлічной конфігурації.
• Освоєно виробництво серій діодів і діодів лавинних в дискових корпусах на струми 320-4000А і напругу 400-4400В.
• Освоєно виробництво серії штирьових бистровосстанавлівающіхся діодів на струми 5-100А і напругу 200-2400В.

2005

Освоєно виробництво серії штирьових симетричних тиристорів на струми 100-1000А і напругу 200-1800В

2006

• Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 5 модифікації на струми 25-80А і напругу 200-1600В.
• Освоєно виробництво серій діодних і тиристорних модулів в корпусах 9, 10 модифікацій на струми 200-320А і напругу 400-2800В.
• Освоєно виробництво серії штирьових діодів на струми 80-500А і напругу 400-2800В.
• Освоєно виробництво серії штирьових тиристорів на струми 125-320А і напругу 600-2000В.

2007

• Освоєно виробництво серій діодних і тиристорних модулів в корпусах 12, 13, 14 модифікацій на струми 500-1250А і напругу 400-3200В.
• Освоєно виробництво серії діодних і тиристорних модулів в корпусі 7 модифікації на струми 10-25А і напругу 200-1200В.
• Освоєно виробництво серії оптронні симетричних тиристорів в пластиковому корпусі на струми 5-80А і напругу 100-1200В.
• Освоєно виробництво серії швидкодіючих тиристорів в дискових корпусах на струми 125-1000А і напругу 400-1600В.

2012

Освоєно виробництво серії швидковідновлюючих діодів в дискових корпусах на струми 250-400А і напругу 400-3600В.